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CXMT, 5세대 D램 공정 양산 돌입
중국 메모리 반도체 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 5세대 D램 공정의 양산에 돌입했다고 로이터가 보도했다. 보도에 따르면 CXMT는 성능이 높은 메모리를 더 낮은 비용과 전력 소비로 생산하도록 설계했으며, 메모리 배열 핵심 구조 간 간격을 11.95나노미터 수준까지 줄였다고 밝혔다.
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- 조선일보
- 한국경제
각 언론사의 관점
조선일보
조선일보는 로이터 보도를 인용해 중국 CXMT가 5세대 D램 공정 양산에 들어갔고, 11.95nm 수준의 미세화와 24Gb LPDDR5X 신제품 공개, 웨이퍼당 칩 생산량 50%+ 증가 등 기술·원가 경쟁력 지표를 구체적으로 전한다(사실 보도). 동시에 CXMT 부사장의 ‘업계 최선단과 동등’ 발언을 함께 소개하며, 중국 업체의 공정 역량이 선두권에 근접했다는 메시지를 강조하는 프레이밍을 취한다(논조/관점).
한국경제
한국경제는 CXMT가 11.95㎚ 수준의 5세대 D램 공정 양산에 돌입하고 24Gb LPDDR5X 신제품을 공개했다는 사실을 전하며, 웨이퍼당 생산량 증가(8Gb 기준 50%+)와 비용·전력 효율 개선 등 기술·생산성 진전을 구체적으로 강조한다. 논조는 이를 삼성전자·SK하이닉스가 2010년대 후반 양산했던 수준에 근접한 ‘한 단계 도약’으로 묘사하며, CXMT가 추격 속도를 높여 글로벌 메모리 경쟁 구도에서 중국의 강력한 경쟁자 육성에 도움이 될 수 있다는 로이터 평가를 인용해 ‘추격/경쟁 심화’ 프레임으로 보도한다.
출처 2개
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